联电宣布与颀邦交换持股布局封测,携手瞄准化合物半导体市场

芯片代工大厂联电及100%持股子公司宏诚创投宣布,两家公司董事会通过与颀邦科技进行股份交换案。预计未来顺利完成之后,联电及颀邦科技两家公司将创建长期策略合作关系。

联电指出,双方基于多年来在驱动IC的领域密切联系合作,双方董事会决议以换股方式,相互取得对方股权,更进一步强化双方长期策略合作关系。三方同意依公司法第156条之3之规定进行股份交换,由颀邦增资发行普通股新股67,152,322股作为对价,以受让联电增资发行之普通股新股61,107,841股,以及宏诚创投所持有之联电已发行普通股16,078,737股,换股比例为联电每1股换发颀邦0.87股。预计换股交易完成后,联电及子公司宏诚创投将共同持有颀邦约9.09%股权,颀邦则将持有联电约0.62%股权。

联电强调,联电当前以先进制程技术提供芯片制造服务,为IC产业各项应用产品生产芯片,并且持续推出尖端制程技术及完整的解决方案,以符合客户的芯片设计需求,所提供方案横跨14纳米到0.6微米之制程技术。颀邦的技术制程主要是聚焦于面板驱动IC封装测试、复晶凸块制作及芯片级芯片尺寸封测 (WLCSP),并持续投入扇出型系统级封装 (FOSiP) 及复晶系统型封装 (FCSiP) 等相关高端先进封装技术制程开发。

另外,联电为台湾最早经营面板驱动IC芯片代工的厂商,也为成功使用28纳米高压制程于AMOLED面板驱动IC之先行者,并已高端至22纳米。颀邦则是全球驱动IC封测代工领导者,产能、技术独步全球。两家公司将在驱动IC领域密切合作,集成前、后段制程技术,往更高频、更低功耗等方向迈进,共同提供面板业界一元化的解决方案。

联电进一步表示,联电近年积极投入开发化合物半导体氮化镓 (GaN) 功率组件与射频组件制程开发,锁定市场商机为高性能电源功率组件及5G射频组件。颀邦在电源功率组件及射频组件封测市场经营多年,并已在此行业占有举足轻重之地位,服务项目包括复晶凸块 (Bumping)、厚铜重布线 (RDL) 及芯片级芯片尺寸 (WLCSP) 封测,适用芯片材质除了硅 (Si) 外,也已经开始量产于砷化钾 (GaAs)、碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 等化合物芯片上。颀邦也正在致力开发复晶系统级 (FCSiP)、扇出型系统级 (FOSiP) 等先进封装技术。联电、颀邦分居产业供应链之上下游,两家公司将在这些市场区块通力合作。

联电总经理简山杰表示,联电一向致力于以全球化布局扩展运营规模、强化客户竞争力及提升股东价值。面对半导体技术日趋精进,基于产业趋势及市场共同性,联电除了研发自有芯片代工技术,也与策略伙伴携手合作,结合双方技术优势,集成上下游供应链资源,提供客户先进的制程技术方案及更完整的全方位服务。

(首图来源:官网)

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