三星电子（Samsung Electronics Co.）决心要赶在台积电前，将新一代3纳米GAA制程技术商业化。
Business Korea 26日报道，三星“设备解决方案”（Device Solution，DS）业务部首席技术官Jeong Eun-seung 25日在线上召开的三星科技暨业务论坛（Samsung Tech & Career Forum）上指出，“我们的GAA制程开发进度领先主要竞争对手（台积电），若能确实巩固技术，则三星的芯片代工业务有望进一步茁壮。”
报道称，三星举行论坛的目的是为了吸引全球工程师。GAA是3纳米制程技术的重要一环，近期有望获全球顶尖的芯片代工商采纳，其关键在将晶体管架构从3D（FinFET）转换成4D（GAA）。三星指出，2019年跟客户测试3纳米GAA设计组件后发现，这种技术可将芯片面积缩减45%、省电性能提升50%。
Jeong 25日并表示，“三星2017年才成立芯片代工业务，但以公司在内存专长，取代台积电指日可待。”他举例指出，三星曾领先台积电开发出一款采用FinFET技术的14MHz产品。
2011~2020年期间，全球有31.4%的GAA专利来自台积电，仅20.6%来自三星。