三星称3纳米GAA制程进度领先台积电!将抢先商业化

三星电子(Samsung Electronics Co.)决心要赶在台积电前,将新一代3纳米GAA制程技术商业化。

Business Korea 26日报道,三星“设备解决方案”(Device Solution,DS)业务部首席技术官Jeong Eun-seung 25日在线上召开的三星科技暨业务论坛(Samsung Tech & Career Forum)上指出,“我们的GAA制程开发进度领先主要竞争对手(台积电),若能确实巩固技术,则三星的芯片代工业务有望进一步茁壮。”

报道称,三星举行论坛的目的是为了吸引全球工程师。GAA是3纳米制程技术的重要一环,近期有望获全球顶尖的芯片代工商采纳,其关键在将晶体管架构从3D(FinFET)转换成4D(GAA)。三星指出,2019年跟客户测试3纳米GAA设计组件后发现,这种技术可将芯片面积缩减45%、省电性能提升50%。

Jeong 25日并表示,“三星2017年才成立芯片代工业务,但以公司在内存专长,取代台积电指日可待。”他举例指出,三星曾领先台积电开发出一款采用FinFET技术的14MHz产品。

2011~2020年期间,全球有31.4%的GAA专利来自台积电,仅20.6%来自三星。

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