台积电CoWoS先进封装路线,为小芯片和HBM3内存做准备

半导体先进制程技术有突破的芯片代工龙头台积电,先进封装发展进程也一样进展顺利。国外媒体《Wccftech》报道,台积电近期公布CoWoS先进封装技术发展蓝图,并公布第五代CoWoS先进技术应用并量产,可在基板封装8片HBM2e高速暂存内存,总容量可达128GB。

台积电发展先进封装技术已有多年,两项关键技术CoW(Chip on Wafer)为基板上封装硅芯片,WoW(Wafer on Wafer)为基板上再层叠一片基板。

台积电表示第五代CoWoS先进封装技术晶体管数量是第三代20倍。新封装技术增加3倍中介层面积,使用全新TSV解决方案,更厚铜连接线。技术用于制造AMD MI200的Aldebaran专业显示,封装2颗GPU核心、8片HBM2e暂存内存。

据发展蓝图,台积电接下来第六代CoWoS封装技术有望2023年推出,同样在基板封装2颗运算核心,可同时封装多达12颗HBM暂存内存。台积电表示,新封装技术也使用性能更好的导热方式。第五代CoWoS先进封装技术使用高性能散热接口材料 (Tim),台积电还将以Metal Tim形式提供最新高性能处理器散热解决方案,与第一代Gel TIM相比,有望将封装热阻降低0.15倍,并以3纳米制程生产,有助高性能芯片散热。

AMD 7月底时透露,采用CDNA 2架构的Instinct MI200 Alderbaran显卡已出货,拥有多达256个计算单元(CU),总计具16,384个加速处理单元,还具16个SE着色器单元。NVIDIA的Hopper GPU也将使用MCM小芯片架构,预计由台积电生产,2022年推出,可期待NVIDIA也能利用第五代CoWoS先进封装技术。

(首图来源:视频截屏)

发表评论