SiC产能再扩大,意法半导体制造首批8英寸碳化硅芯片

意法半导体(ST)今日宣布,其位于瑞典Norrköping的工厂制造出首批8英寸(200mm)碳化硅(SiC)芯片;将SiC芯片升级到8英寸代表着ST针对汽车和工业客户的扩产计划获得重要阶段性的成功,且提升功率电子芯片轻量化和性能,并降低客户获取产品的成本。

意法半导体汽车和离散组件产品部总裁Marco Monti表示,汽车和工业市场正在加速推动系统和产品电气化的进程,升级到8英寸SiC芯片将为ST的汽车和工业客户带来巨大优势;借由覆盖在SiC生态系统统领域累计的深厚专业知识,可提升ST的制造弹性,还能更有效地控制芯片良率和改善品质。

ST先进的量产碳化硅STPOWER SiC目前由意大利卡塔尼亚和新加坡宏茂桥两家6英寸芯片厂完成前段制程制造,后段制程制造则在中国深圳和摩洛哥布斯库拉的两家封测厂进行。这个阶段性的成功是ST布局更先进、高成本效益之8英寸SiC量产计划的一部分;ST正在执行新建碳化硅基板厂和内部采购碳化硅基板比重超过40%的计划(到2024年)。

据悉,ST首批8英寸SiC芯片品质十分优良,对于芯片良率和晶体位元错误之缺陷非常低。其低缺陷率归功于ST碳化硅公司(前身为Norstel,2019年被ST收购)在SiC硅锭生长技术深厚积累的研发技术。除了芯片能满足严格的品质标准之外,升级到8英寸SiC芯片还需要对制造设备和支持生态系统统的升级,为此,ST正在与供应链上下游技术厂商合作研发专属的制造设备和生生产机制程。

(首图来源:意法半导体)

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