电动汽车带动功率半导体和模块需求，第三代半导体碳化硅（SiC）芯片与模块是重要关键，包括鸿海集团等台厂积极创建供应链，不过产业人士指出，台湾在SiC模块上游供应链可能出现断层，政府应该积极重视。
电动汽车市场增长带动关键功率半导体组件和模块需求，攸关变频、变压、变流、功率放大、功率管理等功能，也攸关电动汽车快速充电性能，其中以绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块和第三代半导体SiC芯片和模块最为重要。
第三代半导体材料是以碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）为材料主流，相较传统第一、二代材料如硅（Si）、砷化镓（GaAs）等，第三代半导体具备尺寸小、效率高、散热迅速等特性。适合应用在5G基站、加速快充以及电动汽车充电桩等应用。
从高电压和散热功能来看，鸿海分析，第三代半导体SiC组件性能比GaN组件佳，可快速充电，用在车载领域SiC组件相对有优势；在可靠度SiC组件也具有优势。
产业人士表示，SiC模块目前主要是电动汽车大厂特斯拉（Tesla）带动采用，导入逆变器和车载充电器应用，不过其他电动汽车厂采用SiC模块时间，最快也要到2023年。由于电动汽车用IGBT模块和SiC模块产线基本上可共享，因此台湾厂商除了布局电动汽车用IGBT模块，也同步开发SiC模块。
8月5日鸿海集团以新台币25.2亿元取得旺宏竹科6英寸芯片厂，强攻SiC组件芯片制造，预估到2024年月产能可到1.5万片，应对每月3万辆电动汽车制造所需功率组件，鸿海借此欲在电动汽车功率组件和模块站稳先机。
其他台厂也积极布局SiC模块，例如二极管厂朋程在SiC模块代工机型预计今年第4季导入量产，布局IBGT模块的同时，朋程也与IBGT模块客户洽商SiC模块计划，通过与日系SiC芯片客户合作，朋程超前部署先在SiC模块及封装累计经验。
此外台厂也前进SiC模块上游供应链，例如芯片代工厂汉磊和转投资磊晶硅芯片厂嘉晶布局SiC与GaN等第三代半导体；太极能源与母公司广运转投资盛新材料，布局SiC长晶和切晶；被动组件大厂国宏团旗下同欣电）与成功大学合作开发活性金属硬焊制程级材料自制化，布局高功率GaN及SiC封装用陶瓷基板。
不过从国际大厂来看，包括Cree、Ⅱ-Ⅵ、英飞凌（Infineon）、意法半导体（STM）、罗姆半导体（ROHM）、三菱电机（Mitsubishi）、富士电机（Fuji Electric）等，已先在SiC芯片领域卡位，制造以6英寸或8英寸芯片为主；而台厂目前以4英寸为主，6英寸芯片技术尚未规模化生产。
产业人士指出到2023年之前，台厂与客户在SiC模块仍处于产品开发与样品验证阶段，且台湾半导体产业在研发SiC芯片，在前段磊晶和长晶制程仍有待努力，自主供应链可能出现断层，政府应积极重视。
预期SiC模块发展，产业人士分析，电动汽车成本最高的前3大项就是电池、电机和电控系统，若一般电动汽车电控系统内置SiC模块，电控系统成本可能超越电池跃居第1，影响电动汽车售价；若SiC模块和IGBT模块价差缩小至3倍到5倍，SiC模块在电动汽车市场才有机会提高渗透率。
（首图来源：Unsplash）