华邦电与新思科技携手,提供完整高容量NAND内存解决方案

内存厂华邦电日前宣布,华邦电的OctalNAND Flash可通过与新思科技用于AMBA DesignWare Synchronous Serial Interface (SSI) IP的集成,获得完整的支持。

华邦电表示,DesignWare SSI IP拥有优化内存的性能,可帮助串行式闪存与华邦OctalNAND Flash实现高传输速率并降低其延迟性。华邦与新思科技此次携手,使其具备容量高达4Gb、高速读取功能的OctalNAND Flash能被快速导入,为汽车、移动设备和物联网设备等应用领域提供完整的内存解决方案。另外,作为全球首款8 I/O串行式NAND Flash,华邦OctalNAND Flash不仅为汽车、通信和工业系统制造商提供现今最高容量的嵌入式代码存储产品,同时在与NOR Flash相同的性能之外,成本上更显现其优势。

而目前NOR Flash技术上已达极限,导致于高容量产品的价格居高不下。闪存供应商难以保证在采用行业标准封装的同时,还能继续再优化以获得更佳的性能与成本效益。于是,为解决现存的问题,华邦开发了OctalNAND Flash解决方案。过去,在先进驾驶辅助系统 (ADAS)、汽车仪表板和工厂自动化控制器等应用中,系统设计人员大多使用NOR Flash技术,但由于这些系统的代码大小使用逐渐超过512Mb,使用NOR Flash的成本就会远高于同等容量的NAND Flash。

华邦电强调,大多数高容量嵌入式应用中,一般都会将大量系统代码映射到DRAM中执行,而OctalNAND Flash的读取传输速率可达每秒240MB,且具备连续读取的能力,能够大幅度节省传输时间。虽然NAND Flash无法避免内存坏块的出现,但华邦的OctalNAND Flash具备坏块置换功能,可将坏块映射并做好替换,从而使主芯片能够保持连续性的资料传输并简化高速代码映射的流程,无需主芯片进行跳过坏块的处理方式。

随着OTA更新成为嵌入式系统设计中的标准功能,其所需内存容量也随之翻倍。如今,1Gb与2Gb的内存用于代码存储相当普遍,甚至4Gb也被频繁采用。OTA普及后,闪存的擦除和写入速度变得尤为重要。与NOR Flash相比,OctalNAND Flash的擦除速度最高可比其快400倍,写入速度最高可快50倍。当闪存中的大部分内容都需要OTA更新时,从NOR Flash转换至OctalNAND Flash意味擦除/写入时间将可从近10分钟缩短至不足1分钟,从而大大提高系统可用性和用户体验。

新思科技IP营销和策略资深副总裁John Koeter表示,新思科技的DesignWare SSI IP能帮助华邦OctalNAND Flash,在提供高速内存读取能力的同时也简化移动设备、消费电子、物联网和汽车单芯片系统上采用OctalNAND Flash的流程。借助DesignWare SSI IP和OctalNAND Flash的结合,低成本、高速、高容量闪存将协助系统单芯片设计师缩短其芯片上市的时间。

华邦闪存技术总监J.W.Park指出,华邦与新思科技此次合作,DesignWare SSI IP提供对OctalNAND Flash的支持,使华邦客户能够更轻松地使用OctalNAND Flash的先进功能。通过使用结合了OctalNAND Flash与DesignWare SSI IP的芯片组,系统制造商可根据对性能、容量、价格的不同要求,选择其最适合的闪存,包括Serial NOR Flash、QspiNAND Flash或OctalNAND Flash。

(首图来源:官网)