追赶美光进度,SK海力士宣布量产第四代10纳米级DRAM

韩国内存大厂SK海力士今日官网宣布,旗下第四代10纳米级(1a)制程8Gigabit(Gb)LPDDR4移动设备专用DRAM(动态随机内存)产品已于7月初量产。

外媒报道,这是SK海力士首次采用极紫外光曝光设备 (EUV) 技术量产DRAM产品。SK海力士预计下半年开始供货智能手机厂商第四代10纳米级(1a)制程的移动设备专用DRAM。

市场调查机构《Strategy Analytics》最新研究报告资料指出,2021年第一季,全球智能手机DRAM市场总销金额售额达114亿美元,较2020年同期增长21%。依市场占有率排名,三星以49%排第一,SK海力士排第二,美商美光位列第三。

不过先前韩国媒体报道,市场占有率排名第三的美光6月时就宣布量产第四代10纳米级(1a)制程DRAM,并供货AMD和Acer,是世界第一家量产第四代10纳米级制程DRAM的公司。

相较韩国两家厂商,目前是台湾投资金额最高的外商美光,最新技术不使用EUV曝光设备,而采用上一代深紫外 (DUV) 曝光设备。市场人士强调,因ASML EUV曝光设备每部造价高达1.5亿美元,内存成本较高。美光采用DUV曝光设备就能生产内存,成本竞争力将更具优势。美光量产第四代10纳米级制程技术的消息也震撼韩国业界。

面对美光,SK海力士也投资2月落成的M16新芯片厂,预计达8,000亿韩元设置生产设备,包括EUV曝光机,年底前达每月量产1.8万片12英寸芯片。美光也不甘示弱,日前财报会议透露正与ASML展开采购谈判,预计2024年使用EUV曝光设备生产内存。就发展趋势观察,内存大厂的EUV技术发展竞争将趋白热化。

(首图来源:SK海力士)

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