氮化镓走入5G多芯片模块,恩智浦强化电信基础设施性能

为缩小5G基站射频单元尺寸、减轻重量,并提升性能,恩智浦半导体(NXP)7日宣布将集成氮化镓(GaN)技术至旗下多芯片模块平台;而应用于5G基础设施的恩智浦多芯片模块中的氮化镓性能可将效率提高8%,实现高性能网络。

恩智浦表示,降低能源消耗(Energy consumption)为电信基础设施的主要目标之一,其中每一点效率都至关重要;而在多芯片模块中使用氮化镓可在2.6GHz频率下将产品组合效率提高至52%,比上一代模块高出8%。通过在单个设备中采用专利组合LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)和氮化镓技术,进而提高性能,可提供400MHz的瞬时带宽,仅用一个功率放大器即可完成宽带射频设计。

据悉,结合氮化镓的全新5G多芯片模块将使射频开发人员减少无线电单元的尺寸和重量,帮助移动网络运营商降低在蜂窝式基站和屋顶部署5G的成本。不仅如此,在单一封装的模块中,还集成了多级(multi-stage)传输链(transmit chain)、50欧姆(ohm)输入/输出匹配网络和Doherty设计;并使其最新SiGe技术添加偏压控制,无需再使用单独的模拟控制IC,即可对功率放大器性能提供更严密的监控和优化。

恩智浦半导体执行副总裁暨无线电功率业务部总经理Paul Hart指出,恩智浦开发了专用于5G基础设施的独特技术工具箱(toolbox),包括专有的LDMOS、氮化镓和SiGe以及先进封装和射频设计IP,可能够运用每个组件的优势,并针对每个使用场景以最佳方式将这些优势结合在一起。

(首图来源:恩智浦)

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