为缩小5G基站射频单元尺寸、减轻重量，并提升性能，恩智浦半导体（NXP）7日宣布将集成氮化镓（GaN）技术至旗下多芯片模块平台；而应用于5G基础设施的恩智浦多芯片模块中的氮化镓性能可将效率提高8%，实现高性能网络。
恩智浦表示，降低能源消耗（Energy consumption）为电信基础设施的主要目标之一，其中每一点效率都至关重要；而在多芯片模块中使用氮化镓可在2.6GHz频率下将产品组合效率提高至52%，比上一代模块高出8%。通过在单个设备中采用专利组合LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）和氮化镓技术，进而提高性能，可提供400MHz的瞬时带宽，仅用一个功率放大器即可完成宽带射频设计。
据悉，结合氮化镓的全新5G多芯片模块将使射频开发人员减少无线电单元的尺寸和重量，帮助移动网络运营商降低在蜂窝式基站和屋顶部署5G的成本。不仅如此，在单一封装的模块中，还集成了多级（multi-stage）传输链（transmit chain）、50欧姆（ohm）输入/输出匹配网络和Doherty设计；并使其最新SiGe技术添加偏压控制，无需再使用单独的模拟控制IC，即可对功率放大器性能提供更严密的监控和优化。
恩智浦半导体执行副总裁暨无线电功率业务部总经理Paul Hart指出，恩智浦开发了专用于5G基础设施的独特技术工具箱（toolbox），包括专有的LDMOS、氮化镓和SiGe以及先进封装和射频设计IP，可能够运用每个组件的优势，并针对每个使用场景以最佳方式将这些优势结合在一起。
（首图来源：恩智浦）