极紫外光曝光机（EUV）目前是先进半导体制程，不论DRAM或芯片代工生产提升性能的关键。荷兰商艾司摩尔（ASML）是全球唯一量产EUV曝光机的厂商，台积电、三星、英特尔先进制程都依赖EUV曝光机生产。现阶段每台曝光机单价将近1.5亿美元，但ASML的EUV曝光机目前出货都是光源波长13.5纳米左右的第一代产品，物镜NA数孔径是0.33，据ASML表示，第二代EUV曝光机已进入开发阶段。
首代EUV曝光机量产型号为NXE:3400B，产能为每小时125PWH。ASML目前出货主力是NXE:3400C，产能提升到135WPH。预计2021年底还有NXE:3600D系列产品将推出，产能再提升到160WPH。只不过价格也会提升到1.45亿美元左右。
为了提升生产效率，ASML第二代EUV曝光机型号将是NXE:5000系列，物镜NA值将升到0.55，提高曝光精准度。然而第二代EUV曝光机研发阶段遭遇瓶颈，原本预计最快2023年问世，传出可能延后到2025~2026年，延后近3年，市场人士担心将影响半导体制程研发。
不过虽遭遇研发瓶颈，却有神队友救援。外电报道指出，日本最大半导体镀膜极蚀刻设备公司东京电子（东京威力科创Tokyo Electron）宣布，镀膜／显影技术将与ASML合作，联合发展下一代EUV曝光机生产，维持2023年问世。除了东京电子，比利时微电子研究中心（IMEC）也是合作伙伴。
东京电子指出，借旋金属抗蚀剂以显示高分辨率和高蚀刻电阻，有望使图案更精细。含金属的抗蚀剂需控制复杂的图案尺寸，以及掌握芯片背面／斜面金属污染程度。为了应对挑战，涂层／开发人员正在联合高NA实验室安装先进制程模块，处理含金属抗蚀剂。
0.55 NA值的第二代EUV曝光机比第一代0.33 NA值的EUV曝光机有更多优势，包括更高对比度、图形曝光更低成本、更高生产效率等。有消息指出，ASML已出货的NXE:3400B / 3400C系列曝光机，乃至2021年底问世的3600D系列曝光机，都会称为首代EUV曝光机，因物镜NA都为0.33。第二代即是NA提升至0.55的系列产品。因性能提升，第二代EUV曝光机造价势必大幅上涨，届时生产芯片价格也将水涨船高，产品售价不会太亲民也是想当然尔的事。
（首图来源：ASML）