担心美光超车,三星加快第8代228层V-NAND闪存量产

就在日前韩国媒体报道,因为美商内存厂美光(Micron) 在包含DRAM及NAND Flash闪存生产技术上领先韩国三星及SK海力士两大全球市场占有率名列前茅的内存厂商,消息震撼韩国半导体业界之后,线在三星出来喊话表示,将会加速旗下200层或更多层数堆栈的V-NAND闪存的生产。

根据韩国媒体《BusinessKorea》的报道指出,8日一位三星的高层出来表示,该公司已经开发出了其第8代V-NAND闪存解决方案的测试芯片,该芯片多达200多层堆栈。而三星也将依照计划,并消费者的需求,将其推向市场。而根据三星的布局,三星旗下的第8代V-NAND闪存预计堆栈层数将多达228层。

报道指出,三星目前正在韩国平泽的新芯片2厂中测试第7代176层堆栈V-NAND闪存的生产线。预计月产量可达10,000片12英寸芯片,并将从2021年下半年开始量产,之后将立即继续量产第8代V-NAND闪存。

报道强调,这次三星在新产品发前就透露下一代NAND Flash闪存产品的堆栈层数是很不寻常的做法。一般来说,不正式公布NAND Flash闪存产品的堆栈层数是经常见的情况,原因就在于堆栈层数很可能会在开发过程中发生变化,或者因产品路线的变化,使得结果与预期产生差异。但是,这次三星的做法,似乎是强调三星在NAND Flash闪存产品的技术方面,全球没有任何竞争对首可以与三星比较。

事实上,三星在NAND Flash闪存仍旧稳居全球市场龙头位置。不过,因为美光在2020年11月宣布量产业界首个176层堆栈的NAND Flash闪存。另外,另一家韩存大厂SK海力士也正式宣布,完成176层堆栈的NAND Flash闪存生产,这些竞争对手的成果发布,无疑的是让三星过去的技术优势面临了挑战。有韩国市场人士表示,三星在第7代V-NAND闪存开始量产后,将立即加快第8代V-NAND闪存的量产计划,其目的就是为了持续保持与竞争对手领先差距。

而三星除了介绍第8代V-NAND闪存为228层堆栈技术之外,也介绍了第7代V-NAND闪存,其所采用的是176层堆栈生产。至于,在更上一代的第6代V-NAND闪存,则是相当于100+ 层堆栈产品。

(首图来源:Flickr/Insider MonkeyCC BY 2.0)

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