就在日前韩国媒体报道，因为美商内存厂美光(Micron) 在包含DRAM及NAND Flash闪存生产技术上领先韩国三星及SK海力士两大全球市场占有率名列前茅的内存厂商，消息震撼韩国半导体业界之后，线在三星出来喊话表示，将会加速旗下200层或更多层数堆栈的V-NAND闪存的生产。
根据韩国媒体《BusinessKorea》的报道指出，8日一位三星的高层出来表示，该公司已经开发出了其第8代V-NAND闪存解决方案的测试芯片，该芯片多达200多层堆栈。而三星也将依照计划，并消费者的需求，将其推向市场。而根据三星的布局，三星旗下的第8代V-NAND闪存预计堆栈层数将多达228层。
报道指出，三星目前正在韩国平泽的新芯片2厂中测试第7代176层堆栈V-NAND闪存的生产线。预计月产量可达10,000片12英寸芯片，并将从2021年下半年开始量产，之后将立即继续量产第8代V-NAND闪存。
报道强调，这次三星在新产品发前就透露下一代NAND Flash闪存产品的堆栈层数是很不寻常的做法。一般来说，不正式公布NAND Flash闪存产品的堆栈层数是经常见的情况，原因就在于堆栈层数很可能会在开发过程中发生变化，或者因产品路线的变化，使得结果与预期产生差异。但是，这次三星的做法，似乎是强调三星在NAND Flash闪存产品的技术方面，全球没有任何竞争对首可以与三星比较。
事实上，三星在NAND Flash闪存仍旧稳居全球市场龙头位置。不过，因为美光在2020年11月宣布量产业界首个176层堆栈的NAND Flash闪存。另外，另一家韩存大厂SK海力士也正式宣布，完成176层堆栈的NAND Flash闪存生产，这些竞争对手的成果发布，无疑的是让三星过去的技术优势面临了挑战。有韩国市场人士表示，三星在第7代V-NAND闪存开始量产后，将立即加快第8代V-NAND闪存的量产计划，其目的就是为了持续保持与竞争对手领先差距。
而三星除了介绍第8代V-NAND闪存为228层堆栈技术之外，也介绍了第7代V-NAND闪存，其所采用的是176层堆栈生产。至于，在更上一代的第6代V-NAND闪存，则是相当于100+ 层堆栈产品。
(首图来源：Flickr/Insider MonkeyCC BY 2.0)