震撼韩国业界!美光内存制造技术领先三星与SK海力士

就在美光首席执行官Sanjay Mehrotra于6月2日在Computex 2021论坛的主题演讲中宣布,将正式量产1α制程的LPDDR4x DRAM,并且目前正在向AMD和Acer供应1α制程的DRAM之外,另外还宣布了开始量产176层堆栈NAND Flash闪存之后,其消息震撼了目前在DRAM市场占有率上领先全球的韩国业界。

根据韩国媒体《KoreaBusiness》的报道,美光的1α制程DRAM相当于韩国三星和SK海力士的14纳米制程DRAM。而目前美光是世界上第一家量产该款14纳米制程DRAM的公司公司。再加上2020年11月美光宣布开始量产176层堆栈NAND Flash闪存之后,这代表着美光不论是在DRAM,还是在NAND Flash闪存的生产技术上都超越了韩国的两家公司。

报道指出,韩国的一位市场人士表示,由于核心制程技术的不同,很难直接将美光的技术与韩国的三星和SK海力士的技术相比较。不过,令人惊讶的是,美光在没有极紫外线曝光设备 (EUV) 的辅助下,缩小了与两家韩存大厂的生生产机制造技术差距。

报道强调,现阶段三星和SK海力士尚未开始量产176层堆栈的NAND Flash闪存。其中,SK海力士虽然于2020年12月宣布完成176层堆栈的NAND Flash闪存的开发。不过,到目前为止还没有达到量产的阶段。虽然,两家韩存企业都表示,2021年下半年可以量产176层堆栈的NAND Flash闪存。但市场人士认为,量产的时间实际上会到2021年底。另外,也预计这两家韩存厂商的量产14纳米制程DRAM的时间也会是自2021年底开始。

报道进一步强调,韩国的半导体产业非常关注美光在不使用EUV曝光设备的情况下成功开发出14纳米制程DRAM的消息,因为这是半导体制程微缩的关键。目前,三星和SK海力士正在将EUV技术应用于10纳米等级,但技术较为入门的DRAM生产。

而相较于韩国的两家厂商,目前是台湾投资金额最大的外商美光,最新技术是在不使用EUV曝光设备,而是采用上一代的深紫外(DUV) 曝光设备就可以来生产内存。市场人士也强调,因为由荷兰商ASML所生产的EUV曝光设备每部造价高达1.5亿美元,用其生产的内存将会有比较高的成本。但是美光采用上一代的DUV曝光设备就能生产相关的内存产品,在产品成本的竞争力上将更具优势。

不过,仍有韩国专家调,美光的1α制程的DRAM和176层堆栈的NAND Flash闪存尚未经过与三星和SK海力士的产品进行比较,是否能有相同的性能。因此,未来美光的产品将能对两家韩国厂商有多大的威胁,有待后续观察。

(首图来源:官网)

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