AMD发布3DV Cache缓存封装技术

AMD总裁暨首席执行官苏姿丰博士(Dr. Lisa Su)除了于Computex CEO Keynote主题演说中发布移动版Radeon RX 6000M显示芯片之外,还带来了性能飞天的3DV Cache缓存封装技术。

苏姿丰在演说结束之前,首次展示了由Zen 3处理器架构基础改造而成的3DV Cache试作品。该技术以先进封装技术,将7nm节点制程、容量高达64MB的L3缓存内存直接与CCD(Compute Die,运算裸晶)封装在一起,并通过硅穿孔(Through Silicon Via,TSV)相连,可以让带宽达到2TB/s以上,能比2D封装提升200倍芯片间连接(Interconnect)密度,与其他3D封装相比也有15倍提升,并具有高出3倍的电力效率。

在试作品的性能展示中,它能在与Ryzen R9 5900X调整至相同的时脉条件下,让《战争机器5》的平均FPS提升12%,并可在多款游戏中平均FPS提升15%。苏姿丰特别强调,通过3DV Cache就能达到如此功效,几乎等同于处理器架构改朝换代性能增益,让人留下深刻印象。

3DV Cache是能将L3缓存内存直接CCD(运算裸晶)封装在一起的技术。

可以从图片左方移除盖子的CCD中,看到6 x 6毫米方型的缓存内存。

3DV Cache可以提升芯片间连接密度与电力效率,并带来显著性能提升。

3DV Cache试作品可以在《战争机器5》带来12%平均FPS增益。

在多款游戏测试中,平均FPS增益更是达到15%。

苏姿丰表示搭载3DV Cache技术的处理器将于2021年底推出。在实际产品中,每个CCD将会具有96MB L3缓存内存,也就是说在12核心或16核心的Ryzen处理器中,L3缓存内存的总容量将达到192MB之谱。

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