IBM发布号称全球首创的2纳米芯片制造技术，工研院产科国际所研究总监杨瑞临表示，IBM验证了GAA新结构的可行性，将可加速GAA量产，是半导体业的大事。这可能增加台积电的竞争压力，不过芯片代工霸主的地位应不会动摇。
路透社报道，国际商业机器公司（IBM）表示，2纳米技术可让芯片速度比当今主流的7纳米芯片提升45%，能源效率也将有效提升。
尽管2纳米芯片制造技术可能还要花上数年才能投入市场，不过，相较台积电2纳米在去年经过初步研究及路径寻找后，目前进入制程技术研发阶段，IBM抢先发布2纳米芯片制造技术备受各界关注。
杨瑞临说，IBM这次发布的2纳米芯片制造技术是采用全新的环绕闸极（GAA）架构，验证了GAA的可行性，将可加速GAA的量产及商品化进程。
三星去年宣布将在3纳米抢先导入GAA架构，杨瑞临表示，IBM与三星合作多年，IBM在GAA架构发展获重大突破，能否有助三星3纳米制程发展，值得观察。
杨瑞临说，台积电3纳米制程仍将持续采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构，预计2纳米改采GAA架构，随着IBM验证了GAA的可行性，预料台积电也将加速2纳米制程开发与量产进度。
杨瑞临表示，GAA架构较FinFET架构不仅性能可以提升，能耗问题也可以改善，适用于笔记本与服务器等产品市场。
只是新架构不仅要有设计工具、硅知识产权（IP）等生态系统搭配，量产良率、成本与客户接受度也都是挑战，杨瑞临说，由于台积电预计2纳米制程才会采用GAA架构，使得相关生态系统厂商投入意愿有限。
杨瑞临表示，随着IBM成功验证GAA架构的可行性，三星与台积电可能加速发展GAA架构，料将带动生态系统厂商加速发展，进而推动GAA架构的量产与商品化，对半导体产业是一件大事。
杨瑞临认为，这可能使得台积电竞争压力增加，不过，台积电具有多样客户，将有助缩短学习曲线、快速提升良率及降低成本，且其坚持不与客户竞争是长期来赢得客户信任的关键，芯片代工霸主地位应不会动摇。
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