韩国三星近期积极将极紫外（EUV）曝光技术应用于采用1z纳米制程的DRAM内存生产，并完成量产。据半导体分析机构《TechInsights》拆解分别采用EUV技术和ArF-i技术的三星1z纳米制程DRAM后，发现EUV技术除了提升三星生产效率，还缩小DRAM的节点设计尺寸，另外还比较三星与美光1z纳米制程DRAM，采用EUV技术的三星DRAM核心尺寸（Cell Size）同样较小。
三星2019年末量产100万颗采用1x纳米制程和EUV技术DRAM之后，紧接着2020年初，三星电子再宣布研发分别使用ArF-i技术和EUV技术的1z纳米制程DRAM。三星已量产的1z纳米制程DRAM，包括8GB DDR4、12GB LPDDR5和16GB LPDDR5等产品分别都升级EUV技术。三星升级采用EUV技术的1z纳米制程DRAM，部分应用于三星Galaxy S21 5G系列手机。Galaxy S21 Ultra的RAM使用12GB LPDDR5内存，S21和S21 手机RAM使用16GB LPDDR5芯片，3款手机于今年1月发布。
据《TechInsights》资料，三星1z纳米制程生产效率比以前1y纳米制程高15%以上。节点设计尺寸（D/R，Design Rule）也从1y纳米制程的17.1纳米，降低到1z纳米制程的15.7纳米，裸晶尺寸也从53.53mm²缩小到43.98mm²，比之前缩小约18 %。比较三星1z纳米制程的DRAM与竞争对手美光1z纳米制程DRAM，没有采用EUV技术的美光DRAM核心尺寸达0.00204μm²，采用EUV技术的三星DRAM核心尺寸只有0.00197μm²。三星1z纳米制程DRAM节点设计尺寸是15.7纳米，美光来到15.9纳米。
当前因为内存产业成本高昂、供需敏感、周期时间变化波动等特性，美光等厂商因成本对EUV技术采用相对保守。美光之前表示，1z纳米制程的DRAM仍继续使用ArF-i技术，暂时不会1α纳米和1β纳米DRAM采用EUV技术。但反观三星，因为是全球内存龙头，对EUV技术较积极，一直发展EUV技术于内存应用，现在更取得领先优势。三星也指出，将在1α纳米、1β纳米等制程DRAM继续使用EUV技术。
因2020年DRAM市场大幅增长，以及《IC Insights》等研究机构对市场乐观预期背景下，包括美光、SK海力士等内存大厂或许会增加新技术、制程投入，同时利用成熟技术的成本优势与三星竞争。未来三星是否能持续领先，有待进一步观察。
（首图来源：三星）