台积电将赴日设立材料研发中心，专家分析，三维芯片重要性与日俱增，尤其与散热密切相关的材料至为关键，而材料是日本产学界强项，台积电先进制程结合日本材料实力，将有助台积电拉大与对手三星的技术差距。
台积电赴日本投资正式拍板定案，董事会9日通过以约1.86亿美元金额在日本茨城县筑波市设立材料研发中心，加强和日本生态系统伙伴在三维芯片（3DIC）材料方面开发。
美中贸易战与疫情蔓延，更加确立半导体产业当地缘政治上的战略性地位，市场已多次传出日本频频挥手，希望台积电赴日投资合作发展半导体产业。
事实上，台积电赴日投资材料研发中心，也有不得不然的必要。工研院产科国际所研究总监杨瑞临分析，随着半导体制程微缩技术难度越来越高，即将遭遇瓶颈，加上性能与成本的考量，三维芯片（3DIC）重要性与日俱增，其中与散热密切相关的材料非常关键。
3DIC是指将多颗芯片进行三维空间垂直集成，以应对半导体制程受到电子及材料的物理极限。
台积电在先进封装领域已布局多年，自2016年推出InFO封装技术后，至2019年已发展至第5代集成型扇出层叠封装技术（InFO-PoP）及第2代集成型扇出暨基板封装技术（InFO_oS），并开发第5代CoWoS。
台积电去年还进一步集成InFO与CoWoS等3DIC平台为3D Fabric，并看好相关的先进封装未来业绩增长性将高于公司的平均水准，与高性能计算平台同为台积电运营增长主要动能。
材料向来是日本产学界强项，杨瑞临分析，台积电前往日本设立材料研发中心，以自身领先的先进制程技术结合日本材料的坚强实力，将有助进一步强化先进封装实力，拉大与竞争对手三星（Samsung）的差距，在半导体制造领域扮演领头羊角色。
（首图来源：科技新报）