韩国第二大半导体厂SK海力士（SK hynix）29日宣布，应对市场需求回升，该公司将扩展产能规模，新建的M16产线预计今年6月启动量产，以进一步扩大DRAM内存供应。
韩联社报道，SK海力士今日表示，位于首尔南部利川市（Icheon）的M16厂，计划2月1日举行竣工仪式。SK海力士于会议透露，利川M16厂将从今年开始进行试产，并视情况调整，预计6月就能完成试产，接着正式展开大规模量产。
SK海力士为全球市场占有率第二高的DRAM制造商，仅次DRAM龙头三星电子（Samsung Electronics）。
2018年12月，SK海力士开始动工兴建M16芯片厂，斥资高达15万亿韩元（约134亿美元，将采用极紫外光（EUV）微影技术，生产第四代10纳米级制程（1a纳米）的DRAM产品。
SK海力士称，已确保EUV的供应无虞，并正在与EUV制造商就EUV设备的长期供应进行密切讨论。根据规划，M16厂的EUV设备初期将用于生产第四代10纳米级DRAM，之后全面用于生产第五代10纳米级（1b纳米）DRAM。
截至2020年，以第三代10纳米级（1z纳米）和第二代10纳米级（1y纳米）制程打造的DRAM，约占SK海力士DRAM总产量的40%，计划今年将比率提升到至少75%，同时启动1a纳米制程，产能将比1z纳米制程高出40%。
SK海力士会议时表示，2020年资本支出为9.9万亿韩元，低于2019年的12.7万亿韩元。SK海力士未提到今年的资本支出目标，但表示跟去年相比，设备资本支出的增幅预料有限。
根据韩国产业通商资源部（Ministry of Trade, Industry and Energy）及韩国半导体业协会（Korea Semiconductor Industry Association）的报告，2021年韩国芯片出口额预计将年增10.2%，达到1,093亿美元，有望创历年来次佳表现，仅次2018年的1,267亿美元。
当地研究机构预测，2021年韩国的内存芯片出口额有望年增约12%，突破700亿美元大关，而系统芯片出口额将年增7%，达到310亿美元以上。