最近日媒《日经亚洲评论》引用消息人士说法报道，中存大厂长江存储计划2021年将产量提高一倍，达到月产能10万片芯片。长江存储还计划最早于2021年中试产第一批192层堆栈的3D NAND Flash闪存。为了确保量产内存的品质，计划有可能延迟到2021下半年。长江存储官方微信号13日声明，指出报道并非事实，将保留相关法律追诉权。
据《日经亚洲评论》报道，消息人士指长江存储计划在2021下半年，将内存芯片的月产量倍增至10万片芯片，约占全球产出7%。相较之下，全球最大NAND Flash闪存制造商三星的月产能为48万片芯片，美国最大内存厂商美光则为月产能18万片芯片。
除了扩产现有内存产品，长江存储也打算加快科技发展进程。消息透露，长江存储最快2021年中就会试产第一批192层堆栈3D NAND Flash闪存。目前生产以64层堆栈与128层堆栈的产品为主。虽然，计划可能拖延至2021下半年，也需要时间来确保量产品质。不过，这项时间表对于中国本土芯片企业而言，仍是一大进步。
而对于日媒的报道，长江存储官方微信号在1月13日发布声明，指出报道的相关内容并非事实，将保留相关法律追诉权。长江存储的声明全文如下；
近日，长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”或“我司”）发现个别境外媒体通过多种渠道刊登、传播关于我司产能建设、产品销售等不实言论，长江存储特此发布严正声明：
长江存储自2016年7月成立至今，始终秉承守法合规的经营理念，在海内外各项实际工作中，长江存储严格遵守当地的法律法规，所提供的产品与服务面向商用及民用客户。关于公司下一步建设计划具体情况请以公司官方渠道为准。
长江存储将保留对发布不实报道与言论的境内外个别媒体和记者，以及转发或协助散播不实报道的组织或个人依法追究法律责任的权利。
（首图来源：长江存储）