中存制造大厂长江存储（Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.），传出今年产出将倍增，并计划投产先进芯片，杠上三星电子（Samsung Electronics Co.）等领导企业。
日经亚洲评论12日引述未具名消息人士报道，长江存储计划在2021下半年，将内存芯片的月产量倍增至10万片硅芯片，约占全球产出7%。相较之下，全球最大NAND型闪存制造商三星的月产出为48万片硅芯片，美国最大内存厂商美光（Micron Technology, Inc.）则月产18万片硅芯片。
除了扩产现有芯片，长江存储也打算加快科技发展进程，消息透露，长江存储最快2021年中就会试产第一批192层3D NAND闪存，目前生产的是64层与128层芯片。
虽然计划可能拖延至2021下半年，也需要时间确保量产品质，但这项时间表对于中国本土芯片企业而言仍是一大进步。三星、美光仍在努力开发176层3D NAND，能量产的最先进版则是128层芯片。
长江存储计划中的192层芯片，定义上确实比三星、美光先进，但市场观察人士依旧抱持谨慎态度，认为应看看长江存储产品的性能、品质能否超越领导企业。长江存储是在2020年4月宣布开发完成，并于同年底量产128层NAND。消息显示，目前良率约70%，依旧有改善空间。长江存储的客户包括联想集团及华为。
科技市调机构IC Insights 6日发布研究报告指出，即使长江存储（YMTC）、长鑫存储（CXMT）努力打造新IC生产线，到了2025年，中国还是会有高于50 %的IC是由外国厂商（如SK Hynix、三星、台积电、联电）芯片代工厂生产。