长江存储今年拼超车三星美光?传年中试产192层NAND

中存制造大厂长江存储(Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.),传出今年产出将倍增,并计划投产先进芯片,杠上三星电子(Samsung Electronics Co.)等领导企业。

日经亚洲评论12日引述未具名消息人士报道,长江存储计划在2021下半年,将内存芯片的月产量倍增至10万片硅芯片,约占全球产出7%。相较之下,全球最大NAND型闪存制造商三星的月产出为48万片硅芯片,美国最大内存厂商美光(Micron Technology, Inc.)则月产18万片硅芯片。

除了扩产现有芯片,长江存储也打算加快科技发展进程,消息透露,长江存储最快2021年中就会试产第一批192层3D NAND闪存,目前生产的是64层与128层芯片。

虽然计划可能拖延至2021下半年,也需要时间确保量产品质,但这项时间表对于中国本土芯片企业而言仍是一大进步。三星、美光仍在努力开发176层3D NAND,能量产的最先进版则是128层芯片。

长江存储计划中的192层芯片,定义上确实比三星、美光先进,但市场观察人士依旧抱持谨慎态度,认为应看看长江存储产品的性能、品质能否超越领导企业。长江存储是在2020年4月宣布开发完成,并于同年底量产128层NAND。消息显示,目前良率约70%,依旧有改善空间。长江存储的客户包括联想集团及华为。

科技市调机构IC Insights 6日发布研究报告指出,即使长江存储(YMTC)、长鑫存储(CXMT)努力打造新IC生产线,到了2025年,中国还是会有高于50 %的IC是由外国厂商(如SK Hynix、三星、台积电、联电)芯片代工厂生产。

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