根据韩国媒体《ETnews》的报道，紧追的美商内存厂美光科技(Micron) 之后，韩存厂SK海力士也在7日正式发布176层堆栈的512 Gb TLC 4D NAND Flash闪存，也代表着176层堆栈NAND Flash闪存时代来临。
报道指出，SK海力士说明新的176层堆栈NAND Flash闪存是采用加速技术，使得数据传输速度提高了33%，达到1.6 Gbps。而预计到2021年年中，SK海力士将推出最大读取速度提高70%、最大写入速度提高35%的行动解决方案产品，并计划推出针对消市场和企业市场的SSD产品，进而扩大相关产品的应用市场。
由于在不久前的11月初，美商美光科技已经宣布开始大量出货全球首款176层堆栈的3D NAND Flash闪存。所以，面对竞争对手的来势汹汹，报道强调SK海力士还计划开发以176层堆栈4D NAND Flash的1Tb密度的闪存，进一步持续强化其在NAND Flash闪存的业务竞争力。
美光的176层堆栈NAND Flash闪存产品采用美光第5代3D NAND NAND Flash闪存技术，以及第2代替换栅极架构。因此，相较美光的上一代大容量3D NAND Flash闪存产品，新的176层堆栈的NAND Flash闪存将数据读取和写入延迟的时间都缩短了35%以上。另外，美光的176层堆栈的NAND Flash闪存采用紧凑型设计，裸片尺寸比市场最接近同类产品缩小近30%。而该产品也已经在美光新加坡芯片制造工厂量产，并向客户交付。
(首图来源:Flickr/Kimber JakesCC BY 2.0)